报告主题：磁异质结中自旋轨道力矩效应和斯格明子的最新研究进展

报告  人：于国强中国科学院物理研究所博士生导师、特聘研究员

时        间：2019年11月20日上午10:00

地        点：新主楼F227

报告摘要：利用电子自旋属性的自旋电子器件有望应用于信息存储和处理。为了实现高性能的自旋电子器件，人们正在努力寻找快速、低功耗的磁矩操控方式和最佳的磁性信息载体。该报告将介绍我们在磁性异质结中自旋轨道力矩(一种磁矩操控方式)和磁斯格明子(一种磁性信息载体)方面的最新研究进展，具体包括：设计和制备了Fe₃GeTe₂/Pt双层结构，首次证明可以利用自旋轨道力矩驱动低维磁性范德瓦尔斯材料中磁矩翻转；在[Ta/CoFeB/MgO]_n多层膜中实现了尺寸小于100 nm的斯格明子，通过先进的X射线成像和散射技术，阐明了影响斯格明子尺寸的关键因素，证明了斯格明子具有空间三维自旋结构。

报告人简介：于国强，中科院物理所特聘研究员，博士生导师。2007年于吉林大学获理学学士学位。2012年于中科院物理所获凝聚态物理理学博士学位。2012-2017年于加州大学洛杉矶分校从事博士后工作。2017年10月加入中科院物理所磁学国家重点实验室，入选中科院“百人计划”。主要从事自旋电子学（同时利用电子的自旋和电荷）材料和器件相关的研究。致力于探索磁性薄膜异质结材料、器件中自旋轨道耦合相关的物理效应及其在磁存储、磁逻辑方面的应用。目标是开发出具有高性能和高能源效率的新型自旋电子学器件。至今已经在Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Nature Physics、Nature Electronics、Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters、Physical Review Letters等国际重要期刊上发表学术论文80余篇，引用超过3800余次。获中国发明和国际专利授权11+9项。获得2017年北京市科学技术奖三等奖。